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[COMPUTEX]慧荣科技最新PCIe NVMe SSD控制晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2018年06月08日 星期五

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慧荣科技於Computex Taipei推出一系列最新款PCIe SSD控制晶片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范,并以现场实测展现证实其极致效能,为PCIe SSD定义新标准。

最新SM2262EN展现极致效能,循序读写速度高达3,500 MB/s和3,000 MB/s。
最新SM2262EN展现极致效能,循序读写速度高达3,500 MB/s和3,000 MB/s。

慧荣科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制晶片解决方案,来满足全方位??场需求,包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN,以及适用於BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制晶片。

全系列均采用慧荣独有的韧体技术,包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend ECC技术,支援全线最新3D TLC和QLC NAND,提供最完整及最稳定的资料保护,满足储存设备所需的高效稳定的需求。

SM2262EN超高效能SSD控制晶片解决方案,支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以最新独有的韧体技术,有效提升读写效能,最大循序读取速度高达3.5GB/s,循序写入速度达3.0GB/s,随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计,无论是在待机还是在工作状态下,均展现超低功耗,有效减少30%的功耗,满足专业用户追求超高效能低功耗的严苛要求。

SM2263EN和SM2263XT支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计,并提供完整韧体设计,满足主流市场的需求。 SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制晶片,支援主机记忆体缓冲区(HMB)架构,有效运用系统缓存区,可提升读写速度,并可封装成适用於Tablet PC 11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD;SM2263XT最大循序读取速度达2.4GB/s,最大循序写入速度达1.7GB/s,符合消费性Client SSD的经济效益需求,为主流??场新标配。

慧荣科技产品经理郑元顺指出:「因应大数据时代的来临,对於储存设备的效能要求提升,PCIe SSD成为??场主流。慧荣最新一代PCIe SSD控制晶片搭配独有的韧体技术,可发挥闪存最大效能,全面提升读写速度,并支援所有主要快闪记忆体大厂的3D NAND外,还包含了最新的3D QLC及Micron第三代3D TLC。慧荣完整的控制晶片解决方案,可满足不用??场应用,更加速了PCIe SSD的普及率。」

此次慧荣另一展示重点为最新款的图形显示晶片:支援 4K超高画质的显示晶片:SM768图形显示晶片。

慧荣最新的SM768图形显示晶片能支援4K的超高解析度(UHD),同时拥有USB及PCIe接囗,并支援多屏幕应用,提供性能极隹的图形及影像显示解决方案。

SM768图形显示晶片内建慧荣科技独家研发的内容自我调整技术 (Content Adaptive Technology;CAT),可降低CPU (中央处理器)20%~65%的使用率,不但解决嵌入式系统的长期以来因绘图晶片资料过大,导致因CPU负载过高拖慢整体系统效能的问题,同时也让显示效能大幅提升。

SM768晶片本身的体积仅有19mm X 19mm,整体设备的体积设计可以更小、更易於携带,同时低耗电特色带来低热度系统,设计者可省去散热鳍片的成本与空间。

慧荣科技显示晶片产品行销协理李祥贤指出:「高解析度、顺畅的影像播放,如今已成为消费者对嵌入式系统的基本要求,然而随着影像技术的精进,CPU所需处理的数据日渐庞大,高度的运算负荷,造成影像延迟、高耗电之状况,SM768结合CAT与ARM Cortex-R5,以软硬整合的方式,有效降低主机的CPU负载,其高速、低耗电、小体积特色,打造出新世代的图形显示晶片。」

此外,慧荣科技还展示为高阶行动储存市场提供的SD 6.1控制晶片、UFS 2.1控制晶片、USB转UFS桥接晶片、USB 3.1控制晶片及专为车载及工控市场提供的单晶片SSD、eMMC及UFS解决方案。

關鍵字: PCIe  NVMe  SSD  慧荣科技 
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