RF Micro Devices近日宣布其于中国北京据点的重要扩展。此扩展包含封装产能的提升、以及先进技术的导入。此次扩展预期将对RFMD的POLARIS 3 RF解决方案提供更高支持，其预期于此季度进入量产。

RF Micro Devices表示，此次扩展能以近双倍强化RFMD領导业界之传输模块的封装能力。打线接合及测试能力亦将于本季度扩展，全數产能预计于2007年11月实现；此外，RFMD北京设施新增的先进功能，将包括覆晶封装技术及该公司专利申请中的内部RF屏蔽技术。RFMD目前正开发专利的RF测试平台，并积极针对先进收发器模块测试与其他合作厂商合作。而200,000平方英呎的扩展及新致能科技，预期将简化RFMD的供应链、加速上市时程，并降低制造及库存成本。

RFMD的POLARIS 3是一项完整的RF解决方案。其具备高度整合的无线电收发器模块，包含单晶CMOS EDGE 收发器、完整的石英振荡器、以及所有必要的接濾波器功能。此解决方案同样具备RFMD前端技术，包括功率放大器和传送/接收开关。而革命性的POLARIS 3 RF解决方案更包含内建RF屏蔽，将能获益于RFMD专利申请中的内建屏蔽技术。

当建置时，POLARIS 3不需电话板上的昂贵及笨重金属RF屏蔽，并能减少达80%零组件配置，因此能具体缩减方案尺寸及高度。RFMD是蜂巢式前端的业界領导者。透过POLARIS 3，RFMD正提升其于蜂巢式RF解决方案之利益。