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宜特:整合封装面临IC寿命下降议题
 

【CTIMES/SmartAuto 何向愷 报导】   2013年01月08日 星期二

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继2012年晶圆代工厂突破28奈米制程后,带动半导体产业链2013年朝向20奈米更高阶的制程、整合式的封装发展,但也让IC设计公司因制程改变而延伸出的寿命问题。

宜特公司观察发现,随着云端整合技术日趋成熟、行动通讯产品渗透率日增,半导体组件在行动式装置的发展仍以轻薄短小为主轴下,半导体组件制程则不断朝更高阶的28、20奈米移动,并随市场需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高阶先进封装技术。特别在台湾封测双雄-日月光、硅品不仅已从Prototype实验阶段,逐渐转向量产态势,晶圆大厂亦投入大量资本支出在新应用产品上。

宜特科技工程总处资深副总经理崔革文说明,将多个IC置放至同一封装体时,其整体寿命将会受到不同组件间的热传导相互干扰而下降,也就是10℃理论(温度上升10℃,寿命缩减一半);而高阶制程的IC,则是在相同面积下放入更多晶体管,如此所产生的热,高达以往IC产品的数倍,因此,温度提高对IC寿命的影响将不容小觑。

崔革文更进一步指出,IC间因制程差异所产生的功率变异范围也随之提升。如何在传统的IC HTOL(高温工作寿命实验)中,有效、平稳的控制每一个DUT(Device Under Test,被测元器件)的温度,经由稳定的高温加速仿真实验,获得实际应用的寿命预估数值,是目前IC设计公司高度关注的议题。

为解决IC设计公司因制程改变而延伸出的寿命问题,宜特导入「高功率」IC寿命仿真测试设备- HTOL(High Temperature Operating Life Test,高温工作寿命试验)解决方案,其设备所提供的Power与 I/O讯号Channel供应上更完整,并能以独立温控,取代传统Air Cooling加温方式,可协助IC设计公司降低IC试验时产生的不确定性,缩短量产前产品验证时间。

關鍵字: SiP  3D TSV  宜特 
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