根据外电报导，海力士、三星电子计划将分别于今年第3季、第4季将NAND Flash移至中国无锡厂及美国奥斯汀厂生产。

三星电子计划将NAND Flash移至美国奥斯汀厂生产，以改善与当地国的贸易关系，并做好当地客户管理。日前三星电子表示，三星不会效仿英特尔（Intel）在中国建设芯片工厂，中国虽然是一个正在发展的半导体市场，不过目前也是一个低价格、低水平的市场。三星电子将继续扩大目前在海外的唯一的芯片工厂，位于美国得克萨斯州的奥斯汀工厂，因为这个工厂接近美国的高端客户，附近也有受教育程度很高的人力资源。

奥斯汀厂位于美国最大的芯片生产地区里，将用来生产各种不同的动态随机存取内存（DRAM），这也是桌上型与笔记本电脑上常用的内存。此次计划增设的第二条12吋（300㎜）专用生产线，预定主要用来量产NAND Flash，产品可望于年底出货，三星电子希望藉此与美国当地客户达成良好沟通，做好客户管理，并透过当地生产，进行贸易纠纷管理，达到改善与美国贸易关系的效果。

至于海力士则是在合作伙伴意法半导体的邀请之下，计划最快于第三季在中国无锡厂的12吋生产线，生产采用60奈米制程的NAND Flash产品，无锡厂目前共有8吋及12吋共2座晶圆厂，专门生产DRAM产品，最近12吋厂的产能正在扩增当中，若是无锡厂扩产，将生产Nand Flash。