整合通讯IC厂商IDT宣布，采用IDT与Intel生产之先进内存缓冲器（AMB）的全缓冲双列直插式内存模块（FB-DIMM）之间可以互通，技术迈向新的里程碑。有了这项互通之后，内存模块、服务器与工作站的设计工程师可选择FB-DIMM平台，而系统仍保持弹性，随带宽需求增加而升级。

IDT在旧金山Moscon Center West举行的英特尔科技论坛（Intel Developer Forum）中，展示这项合作成果。

IDT与Intel的AMB产品是下一代高带宽应用必要的建构组件，这些应用像是需要高效能及高内存容量的服务器与工作站。信道上的内存控制器与模块之间，提供高速、序列、点对点的连接，是FB-DIMM信道架构的重要特性。每个FB-DIMM上的AMB芯片，会收集与散布来自或传到DIMM的数据，接着，将数据储存在芯片内部，然后再接收或传送到下一个DIMM或内存控制器中。这项信道结构，将能改善常见于暂存DIMM技术的缓冲延迟问题，让设计者在单一系统内可应用大量的DIMM。IDT AMB产品目前开始提供样品，预计2005年9月量产。