科林研发公司(Lam Research Corp.)宣布，推出可协助客户提高记忆体晶片密度的全新解决方案，以满足人工智慧和机器学习等应用的需求。透过导入晶背沉积用的VECTOR DT以及晶背和晶边薄膜去除用的EOS GS湿式蚀刻系统，科林研发进一步扩展了其应力管理产品组合。

虽然高深宽比沉积和蚀刻是3D NAND微缩的关键促成因素，但随着层数的持续增加，要控制由於薄膜堆叠累积应力所造成的晶圆曲度已成为一重大挑战。由於变差的蚀刻景深、重叠效能和结构扭曲，这类由应力引起的晶圆变形已对晶圆良率带来显着影响。为了提高整体良率，需要在整个制造过程中的各个步骤中仔细管理晶圆、晶粒和特徵级应力，将有可能免除由於这些应力特性而需导入其他的效能增强制程步骤。

VECTOR DT系统是专为控制3D NAND制造的晶圆曲度所开发的成本效益解决方案，它是科林研发电浆辅助化学气相沉积（PECVD）产品系列的最新成员。VECTOR DT透过在晶圆背面沉积一层可调节的反应力(counter-stress)薄膜，无需接触晶圆正面便能为晶圆形状管理提供了单一步骤的解决方案，因此可实现更隹的蚀刻结果、减少弯曲引起的失效，并整合高效能但高应力的薄膜。自首次推出以来，随着客户的广泛采用，VECTOR DT安装数量已继续成长，以支援客户朝超过96层的3D NAND结构迈进。

除了沉积反应力薄膜之外，科林研发还提供了可以去除晶背薄膜的灵活性，使客户能在3D NAND制造流程中调整晶圆应力。透过以业界领先的湿式蚀刻均匀度来去除晶背和晶边薄膜，科林研发的EOS GS湿蚀刻产品可与VECTOR DT互补，并同时完全保护晶圆的正面。作为全面的晶圆曲度管理解决方案的一部分，科林研发的EOS GS也已被全球各地的记忆体制造商采用。

科林研发沉积事业处资深??总裁暨总经理Sesha Varadarajan表示：「随着我们的客户持续大幅增加记忆体单元层的数量，累积应力和晶圆曲度将超过蚀刻机台的极限。把应力引起的变形降至最低，对於实现期??的良率和每位元成本的目标至关重要。藉由VECTOR DT和EOS GS系统的推出，我们正扩展全晶圆应力管理解决方案组合，致力於协助客户达成其垂直微缩的技术蓝图。」