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勝陽成功試產砷化鎵晶片
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2000年05月21日 星期日

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無線通訊持續發燒,GaAS砷化鎵磊晶片成為全球當紅炸子雞,繼博達、全新量產HBT磊晶片後,勝陽光電日前宣佈以有機金屬氣相磊晶成長法(MOCVD)製程試產成功砷化鎵磊晶片,現接受美國大廠品質驗証中,預計今年第三季後將可大量投產。

GaAs砷化鎵磊晶片在歷經1年的投入研發後,已宣佈試產成功。由於國際磊晶片嚴重缺貨,該公司除原有2台4吋MOCVD生產機台已投產外,六月前將另有2台機台也將到位,產能將成長1倍;該公司估計,以目前每台月產能1000片計,第三季後,總月產能將達4000片。在產能逐漸穩定成長下,該公司計畫明、後年各再引進5台機台,並於公元2003年將生產線擴充至19條。

關鍵字: GaAS  砷化鎵磊晶片  有機金屬氣相磊晶成長法  MOCVD  勝陽光電  其他電子邏輯元件 
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