E-pHEMT場效電晶體

安捷倫科技公司7月31日發表了一款擁有最高線性度的E-pHEMT(增強模式的假相高電子遷移率電晶體)場效電晶體，這個新的低熱阻性版本採用小型的2 mm x 2 mm 8接腳無引線塑料晶粒封裝。Agilent ATF-501P8單電壓E-pHEMT，已針對蜂巢式/PCS/WCDMA基地台、低地面軌道衛星系統、陸地多通道多點散佈系統(MMDS)、無線區域網路(WLAN)、無線區域迴路(WLL)、無線固網、以及其他在50 MHz到6 GHz頻率範圍內操作的服務中所使用的發射器功率放大器和接收器低雜訊放大器而優化。在2 GHz的頻率下，單電壓操作的Agilent ATF-501P8可提供+45.5 dBm的第三級輸出截點(OIP3)，以提高多通道放大器的效率，使其能夠處理更多的語音和數據通道。Agilent ATF-501P8具有僅23 oC/W的低熱阻性(採用傳統LPCC封裝的類似元件之熱阻性則為33 oC/W)，在周圍溫度達+85°C時幾乎可散熱2 W，同時能維持晶片的溫度，以確保較高的可靠度。ATF-501P8在2 GHz的頻率下，還提供了+29 dBm的線性輸出功率(P1dB)、15 dB的增益和65%的電力延長效率，以及1.0 dB的低雜訊指數。它的尺寸僅2 mm x 2 mm，可節省寶貴的印刷電路板空間。