皇家飛利浦電子公司日前發布QUBiC4X，此為最新一款採用高性能BiCMOS處理技術（雙極互補金屬氧化物半導體，Bipolar CMOS）並已獲得極大成功的QUBiC4系列產品之一。運用矽鍺碳（SiGe:C）技術的新製程讓雙極晶體管的fT指標超過了130GHz，非常適合10GHz到30GHz範圍之間的微波應用，例如衛星電視接收器和汽車碰撞探測雷達。超低的噪音指標使這一新製程非常適合用于靈敏的RF接收器，像是應用在高性能手機中提升聯網消費者的通話體驗。

在增益率和噪音指標方面，QUBiC4X的雙極晶體管性能上除了可媲美砷化鎵，使用此製程更可實現CMOS邏輯單元、CMOS RF電路系統以及高性能高品質的因子被動元件之間的整合。除了為擁有價格和量產優勢的基矽技術帶來了消費性產品的新微波應用，QUBiC4X更使目前包含獨立矽元器件以及砷化鎵器件的混合解決方案能夠被更高度整合的解決方案所替代。

飛利浦半導體RF創新中心技術經理Patrice Gamand表示︰「QUBiC4X的發布可讓設計師受益於高性能、高成本效率以及可靠的製程技術，並且滿足無論是消費性產品應用抑或專業產品應用在性能、量產以及整合密度上不斷提出的新需求。」

QUBiC4X的應用範圍從手機收發器到30GHz汽車碰撞探測雷達以及短射程微波連接。在手機收發器中，低噪音指標和低集電極電流的組合可提供更可靠的接收以及更長的電池壽命。此外，衛星電視低噪音接收器中的低噪音擴大器以及RF功率擴大器也是非常典型的應用。