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台積線上技術論壇亮點:4奈米與3D IC系統整合服務
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2020年08月25日 星期二

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因應新冠肺炎(COVID-19)影響,台積公司(TSMC)今年首度舉辦線上的技術論壇和開放創新平台(Open Innovation Platform, OIP)生態系統論壇。會中除了提及5奈米與3奈米的技術時程外,也披露了最新的4奈米技術,預計在2022年量產;此外,台積也首度發表3DFabric系統整合服務,為整合SoIC、CoWoS和InFO技術的完整3D IC代工服務。

根據台積的說法,採用線上形式的論壇活動,共計超過5,000位人士註冊參與,在8月24日至8月26日期間,分別在北美、歐洲、日本、台灣、以及中國大陸舉行的線上技術論壇及開放創新平台生態系統論壇。

不只N5、N3 還有N4

台積指出,N5(5奈米)技術今年已進入量產,隨著產能持續拉升,良率提升的速度亦較前一世代技術快。相較於N7,N5速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達80%。奠基於N5,台積預計於2021年量產加強版的N5P製程,速度可再增快5%,功耗再降低10%。

此外,台積也首度公布了N4製程(屬N5家族)。台積指出,N4進一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產品的需求,除了減少光罩層來簡化製程,N4可借助5奈米的設計生態系統,順利從N5升級,N4製程預計於2021年第四季開始試產,2022年進入量產。

而在N3方面,台積表示,N3製程開發進度符合預期,將成為全球最先進的邏輯技術。相較於N5技術,N3速度增快15%,功耗降低達30%,邏輯密度增加達70%。

N12e技術 支援5G與AIoT裝置

台積的N12e製程,目前已進入試產階段,能夠提供強大的運算效能與優異的功耗效率,支援人工智慧邊緣運算應用。台積指出,N12e可將FinFET電晶體技術導入邊緣裝置,藉由強化的超低漏電裝置與靜態隨機存取記憶體,相較於前一世代的22ULL技術,N12e邏輯密度增加超過1.75倍,效能提升約1.5倍,功耗減少一半。

做為12FFC+製程的加強版,N12e適合應用於支援人工智慧的物聯網裝置。

3DFabric整合服務=SoIC+CoWoS+InFO

此外,台積也宣布推出3DFabric服務,將快速成長的3DIC系統整合解決方案統合起來,為包含系統整合晶片(TSMC-SoIC)技術、CoWoS技術、以及整合型扇出(InFO)技術。

藉由不同的選項進行前段晶片堆疊與後段封裝,協助客戶將多個邏輯晶片連結在一起,甚至串聯高頻寬記憶體(HBM),或異質小晶片(Chiplet),例如類比、輸入/輸出、以及射頻模組。

台積強調,3DFabric是業界首項能夠結合後段3D與前段3D技術的解決方案,提供系統整合中的強大乘數效應;同時,3DFabric能與電晶體微縮互補,持續提升系統效能與功能性,縮小尺寸外觀,並且加快產品上市時程。

關鍵字: 3D IC  台積電(TSMC
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