ASM推出一個全新的原子層沈積（ALD）製程。該製程採用氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）高介電值覆蓋層，使得32納米high k金屬閘極堆疊採用單一金屬，而不是之前CMOS所需要的兩種不同的金屬。High k電介質與金屬柵結合可以實現芯片體積更小、運行更快。這樣的芯片適用於高性能服務器和低功耗要求的產品，如筆記本電腦、PDA和Smart Phone。

ASM正在等待該氧化鑭（LaOx）及氧化鋁（AlOx）覆蓋層的專利。這新的製程應對了32納米及其以下的構型的挑戰。如果沒有這些覆蓋層，則需要兩種不同的金屬來製造晶體管P和N的電學特性。在以鉿（Hafnium）為基礎的閘極介電層與金屬閘極之間引入超薄的覆蓋薄膜，原子層的電荷將會影響介電層和金屬之間的相互作用。在小於1納米的範圍內，通過改變覆蓋層的厚度，金屬薄膜的性能可以被調整。ASM Pulsar提供ALD技術，多個ASM Pulsar process module可以整合成單一的Pulsar平台，以沉積鉿基薄膜和覆蓋層。整個製程不接觸大氣，因此薄膜間的界面可以得到良好的控制。

ASM晶體管產品經理Glen Wilk說「解決high k與金屬柵的挑戰，對我們大部分的客戶來說是最優先的考慮，這個新的製程極大地簡化了high k與金屬閘極的結合，並使我們能夠支持前閘極與後閘極的製程流程。ASM目前提供針對high K電介質、覆蓋層及金屬閘極的原子層沈積（ALD）製程，世界範圍內已有超過50台應用於不同high k沈積的Pulsar正在製造中。」