倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術研究中心稍早前宣佈，已經成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創新將敲開新一代LED技術的大門，因為它的製造成本更低、更有效率，而且新的功能和應用也遠超出照明範疇。

整合GaN LED和HEMT單晶片的元件剖面圖 BigPic:800x486

目前LED照明系統的核心是由氮化鎵製成的LED晶片，但許多外部元件如電感、電容、矽互連和線路等都有待安裝或整合到晶片中。而整合這些必要元件的大尺寸晶片則又會增加照明產品的設計複雜性。此外，這些複雜的LED照明系統組裝過程也相當緩慢，不僅需要大量手動操作，而且價格昂貴。

倫斯勒理工學院的電子電腦暨系統工程系教授T. Paul Chow帶領的一項研究正試圖透過開發一款具備完全採用氮化鎵製造之元件的晶片來解決這些挑戰。這種完全整合的獨立型晶片可簡化LED的製造，可減少組裝和所需的自動化步驟。此外，由於採用單一晶片，因此零件故障的比率也能降低，並提升能源效率和成本效益，以及照明設計的靈活性。

Chow和研究團隊們直接在氮化鎵的高電子遷移率電晶體(HEMT)頂部生長氮化鎵LED結構。他們使用數種基本技術來互連兩個區域，創造出了他們稱之為首個在相同氮化鎵晶片上整合HEMT和LED的獨立元件。該元件在藍標石基板上成長，展現出的光輸出和光密度都能和標準氮化鎵LED元件相比。Chow表示，這項研究對於朝開發嶄新的發光整合電路(light emitting integrated circuit，LEIC)光電元件而言相當重要。