帳號:
密碼:
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
科學家開發下一代「完全整合」LED元件
 

【CTIMES/SmartAuto 江城 報導】   2013年06月30日 星期日

瀏覽人次:【3541】
  

倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術研究中心稍早前宣佈,已經成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創新將敲開新一代LED技術的大門,因為它的製造成本更低、更有效率,而且新的功能和應用也遠超出照明範疇。

整合GaN LED和HEMT單晶片的元件剖面圖 BigPic:800x486
整合GaN LED和HEMT單晶片的元件剖面圖 BigPic:800x486

目前LED照明系統的核心是由氮化鎵製成的LED晶片,但許多外部元件如電感、電容、矽互連和線路等都有待安裝或整合到晶片中。而整合這些必要元件的大尺寸晶片則又會增加照明產品的設計複雜性。此外,這些複雜的LED照明系統組裝過程也相當緩慢,不僅需要大量手動操作,而且價格昂貴。

倫斯勒理工學院的電子電腦暨系統工程系教授T. Paul Chow帶領的一項研究正試圖透過開發一款具備完全採用氮化鎵製造之元件的晶片來解決這些挑戰。這種完全整合的獨立型晶片可簡化LED的製造,可減少組裝和所需的自動化步驟。此外,由於採用單一晶片,因此零件故障的比率也能降低,並提升能源效率和成本效益,以及照明設計的靈活性。

Chow和研究團隊們直接在氮化鎵的高電子遷移率電晶體(HEMT)頂部生長氮化鎵LED結構。他們使用數種基本技術來互連兩個區域,創造出了他們稱之為首個在相同氮化鎵晶片上整合HEMT和LED的獨立元件。該元件在藍標石基板上成長,展現出的光輸出和光密度都能和標準氮化鎵LED元件相比。Chow表示,這項研究對於朝開發嶄新的發光整合電路(light emitting integrated circuit,LEIC)光電元件而言相當重要。

關鍵字: LED  GaN 
相關新聞
TrendForce:終端需求不振 全球照明LED封裝市場陷入衰退
Power Integration率先將GaN技術應用於電源功率元件
PI搶先業界推出GaN技術InnoSwitch3 AC-DC轉換晶片
TrendForce:全球車用LED產值持續成長,2018年億光躋身全球前十
廠商利潤空間遭壓縮 照明用LED封裝價格跌幅放緩
comments powered by Disqus
相關討論
  相關產品
» Silicon Line在Computex 2019展示最新光連結科技
» 市場先鋒:Basler推出智慧型燈源解決方案
» Diodes推出符合汽車規格的60V快速調線性LED控制器
» 英飛凌推出適用於一般照明的新款60V線性LED控制器IC
» UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列
  相關文章
» 打開軟性顯示新視野 電子紙搶進差異化市場
» 布局智慧顯示商機 抓緊Micro LED轉型浪潮
» 多功能平面清洗機構
» 精確測色的新時代來臨了?
» Micro LED真能現身Apple Watch?

AD


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2019 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw