碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，該元件的導通電阻（RDS on）僅有6mΩ，僅有競爭對手SiC MOSFET產品的一半，並提供了5μs額定短路耐受時間。

導通電阻（RDS on）是什麼意思，就是元件啟動時，汲極和源極間的阻值。數值越小，工作時的功率損耗越小，對於電源效率的提升也越有幫助。尤其是高耗電的應用場域，像是電動車和資料中心等，只要1%的改善，就會產生巨大的成本差異。

UnitedSiC今日所發佈的產品，是其第四代的產品，包括750V SiC FET系列中的9種新元件，額定值包含6、9、11、23、33和44mΩ。而所有元件均有採用TO-247-4L封裝的方案，同時18、23、33、44和60mΩ元件還提供了採用TO-247-3L封裝的方案。

UnitedSiC資深產品經理Richard Chen表示，新的產品採用一種新的FoM效率指數（Figures of Merit），來彰顯新產品在功率設計上性能。此外，與其他碳化矽產品不同之處，在於UnitedSiC能以傳統矽的Super Junction架構的驅動電壓（0～12 V）來進行，因此可以兼容 SiC MOSFET，或者Si IBGT和Super Junction的設計。

在性能指數方面，如RDS(on)×A（晶片面積的傳導損耗），第4代SiC FET在高低裸晶溫度下，均可達到市場最低值。

UnitedSiC的第4代SiC FET採用了「共源共閘」拓撲結構，其內部整合了一個SiC JFET並將之與一個矽MOSFET封裝在一起。這兩者結合起來就提供了寬禁帶技術的全部優勢——可實現高速和低損耗以及高溫工作，同時還可保持簡單、穩定和穩健的閘極驅動，並具有內建的ESD保護。

這些優勢可透過品質因數(FoM)進行量化，例如RDS(on)×A，這個指標衡量了每單位晶片面積的傳導損耗。在這個指標上，第4代SiC FET在高低裸晶溫度下均可達到市場最低值；在硬切換應用（RDS(on)×EOSS/QOSS）中，也接近競爭對手值的一半；在軟切換應用（RDS(on)×COSS(tr)）項目，UnitedSiC的750V元件與競爭對手650V元件相比，低約30%。

對於何以能達成如此優異的成果，Richard Chen表示，UnitedSiC長期以來專注於碳化矽元件技術的研發，透過專利的製程技術來達成此一性能。主要是採用先進的晶圓減薄技術，以及銀燒結貼片製程，降低了從裸晶到外殼的熱阻，藉此實現最大功率輸出，同時實現低裸晶溫升。

新款750V第4代SiC FET的定價（1000片起，美國離岸價）從UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。所有元件均可從授權經銷商處購買。

UnitedSiC創立於1999年，由美國羅格斯大學的一個小型研究團隊所成立，成立之初就專注於碳化矽（Silicon Carbide）技術的研，而當時碳化矽元件市場幾乎還是一片沙漠。