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2020汽車電子科技峰會 國際大廠聚焦ADAS與自駕安全規範 (2020.07.16)
由CTIMES主辦,電電公會與台灣車聯網產業協會協辦,的「電動+自駕+車聯 2020汽車電子科技峰會」,於7月16日盛大舉行。國際領先的汽車電子解決方案供應商,包含羅姆半導體(ROHM)、安矽思科技(ANSYS)、克達科技、愛德克斯、精英電腦皆與會針對各項汽車電子方案與技術進行分享
臻驅科技與ROHM攜手 成立碳化矽技術聯合實驗室 (2020.06.24)
中國新能源車驅動公司臻驅科技(上海)有限公司(臻驅科技)與半導體製造商羅姆(ROHM)宣佈在中國(上海)自由貿易區試驗區臨港新區成立「碳化矽技術聯合實驗室」,並於2020年6月9日舉行了揭幕啟用儀式
ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」,適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 對於功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短,兩者之間存在著權衡關係,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,也必須同時考慮如何兼顧短路耐受時間
2020年汽車電子行業趨勢 (2020.06.12)
交通應用將在2020年持續轉型。在汽車市場,電動汽車的採用和主動安全性仍加速推動功率半導體和感測器業務的強勁增長。
Cree與StarPower助客車廠商開發SiC電機控制器系統解決方案 (2020.06.10)
宇通客車(宇通集團)於日前宣佈,其新能源技術團隊正在採用基於科銳(Cree, Inc.)1200V SiC元件的Stare半導體功率模組,開發更高效率,更快,更小,更輕,更強大的電機控制系統,各方共同推進SiC逆變器在新能源大巴領域的商業化應用
英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝 (2020.06.08)
繼今年稍早推出的650V產品後,英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級,現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性,提供優異的可靠性和低切換及導通損耗
電動車商Vitesco和ROHM攜手 打造SiC電源解決方案 (2020.06.05)
電動車品牌Vitesco Technologies(Vitesco)宣佈選擇SiC功率元件製造商羅姆半導體(ROHM)作為SiC技術的首選供應商,並就電動車領域功率電子技術簽署研發合作協定(2020年6月起生效)
在新冠疫情中升溫的5G基地台電子元件商機 (2020.06.02)
百業幾近蕭條的局面,5G建設卻逆勢成長,成為疫情之下最受注目的發展。
英飛淩推出分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台 助碳化矽成為主流 (2020.05.25)
雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200V CoolSiC MOSFET採用TO247 3針腳和4針腳封裝的驅動選項,英飛凌科技推出模組化評估平台,其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板,驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡;其他版本將於近期內推出
SiC材料可望提高UVC LED光效 強化殺菌成果 (2020.05.05)
光電協進會(PIDA)指出,UVC LED主動殺菌消毒正獲市場青睞。當冠狀病毒(COVID-19)大流行時,加州大學聖塔芭芭拉分校固態照明與能源電子中心(SSLEEC)的材料科學家已經在研究UVC LED技術
英飛凌助力開發光伏發電1500VDC串接型逆變器 (2020.04.07)
陽光電源公司(Sungrow)推出高達250kW 裝機容量的SG250HX系列串接式光伏逆變器,該產品先前已於2019年歐洲國際太陽能技術博覽會(Intersolar Europe)上亮相。該逆變器採用英飛凌科技的定制化EasyPACK 3B功率模組並搭載最新的TRENCHSTOP和CoolSiC晶片技術
英飛凌CoolSiC肖特基二極體系列新增D2PAK正2引腳封裝 (2020.04.06)
英飛凌科技擴展其CoolSiC肖特基二極體1200V產品組合,新推出六款採用D2PAK正2引腳封裝的產品。新產品採用SMD封裝,助力打造體積更精簡,更符合成本效益的設計。此外,新款D2PAK 2引腳封裝移除了中間的引腳,爬電距離達到4.7mm,間距達到4.4mm
GTAT和安森美半導體簽署SiC材料供應協議 提高寬能隙材料供應 (2020.03.19)
GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半導體(ON Semiconductor),宣佈執行一項為期五年的協議,總價值可達5,000萬美元。根據該協定,GTAT將向高能效創新的全球領袖之一的安森美半導體生產和供應CrystX 碳化矽(SiC)材料,用於高增長市場和應用
SiC MOSFET適用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽車認證 (2020.03.18)
中高壓變頻器應用閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日宣佈推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver,該產品現已通過AEC-Q100認證,可供汽車使用
ROHM SiC功率元件獲車電廠UAES採用 助EV充電系統提升效率 (2020.03.17)
半導體製造商ROHM宣布,其SiC功率元件(SiC MOSFET)獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司(United Automot]ive Electronic Systems Co., Ltd.;UAES)採用,將應用於電動車充電器(On Board Charger;OBC)上
Microchip擴展碳化矽電源晶片產品線 提升能源效率、尺寸和可靠性 (2020.03.17)
業界希望基於碳化矽(SiC)的系統能大幅提升效率、減小尺寸和重量,協助工程師研發創新的電源解決方案;這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智慧電網、工業電力系統、飛機電力系統等
安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的
運用Web模擬工具可同時驗證SiC功率元件和驅動 IC (2020.03.06)
採用Mentor「SystemVision」雲端環境,輕鬆驗證電路解決方案。
ROHM推出Web模擬工具 同時驗證SiC功率元件和驅動IC (2020.03.05)
半導體製造商ROHM針對車電和工控裝置等電子電路設計者和系統設計者,研發出可以在解決方案電路上一併驗證功率元件(功率半導體)、驅動IC及電源IC等的Web模擬工具「ROHM Solution Simulator」,並在ROHM官網上公開可支援的44個電路解決方案
5G來臨 氮化鎵將逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光電協進會(PIDA)指出,氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分,但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率,設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件,特別是在30 GHz至300 GHz的更高頻率5G部署(包括毫米波段)


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