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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。
全球逆變器市場的成長動力來源，主要來自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對再生能源基礎架構投資的增加 |
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DigiKey推出Supply Chain Transformed第三季影集 (2024.12.05)
物流領域的不同層面正在經歷數位化轉型。DigiKey宣布首播第三季《Supply Chain Transformed》影集，由Omron Automation和onsemi 贊助播出。新的一季著重於推動物流產業未來發展的物聯網創新技術，運用擴增實境、無人機送貨系統等各種新技術，以及將人工智慧（AI）整合至物聯網 （IoT），傳統物流正經歷重塑，以便簡化營運及提高規模效率 |
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Valeo將與ROHM合作開發新世代功率電子 (2024.11.26)
汽車零組件製造商Valeo Group與ROHM將融合雙方在功率電子領域的技術優勢，聯合開發牽引逆變器的新一代功率模組。ROHM為Valeo的新一代動力總成解決方案提供碳化矽（SiC）封裝模組「TRCDRIVE pack」 |
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筑波舉辦化合物半導體與矽光子技術研討會 引領智慧製造未來 (2024.11.15)
筑波科技（ACE Solution）攜手美商泰瑞達（Teradyne）近日舉辦年度壓軸「化合物半導體與矽光子技術研討會」。本次活動由國立陽明交通大學、中原大學電子工程學系共同主辦，打造產官學交流平台 |
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ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型 |
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Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
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三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器 |
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ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受益 |
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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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Power Integrations推1700V氮化鎵切換開關IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的單級、獨立穩壓多路輸出離線式電源供應器 IC 的新成員。新裝置採用了業界首款透過該公司專有 PowiGaN 技術製造的 1700 V 氮化鎵切換開關 |
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國科會新增10項核心關鍵技術 強化太空、量子、半導體領域保護 (2024.11.03)
為強化國家核心關鍵技術保護，避免國家安全、產業競爭力及經濟發展受損，國科會預告修正「國家核心關鍵技術項目及其技術主管機關」草案，新增10項太空、量子科技、半導體及能源領域之關鍵技術，預告期至11月15日止 |
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ROHM的EcoSiC導入COSEL的3.5Kw輸出AC-DC電源產品 (2024.10.30)
半導體製造商ROHM生產的EcoSiC產品—SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（SBD），被日本先進電源製造商COSEL生產的三相電源用3.5kW輸出AC-DC電源單元「HFA／HCA系列」採用。強制風冷型HFA系列和傳導散熱型HCA系列均搭載ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD，實現最大的工作效率（94%） |
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PCB搶進智慧減碳革新 (2024.10.29)
當前國內外電子品牌大廠積極推動產品碳中和浪潮下的綠色生產議題，卻累積推進台灣PCB廠商等上游製程端節能減碳的壓力，持續往高階供應鏈轉型發展。並依TPCA盤點產業耗電後，更需要及早投入低碳製造布局維持產業競爭優勢 |
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貿澤電子推新品：2024年Q3新增近7,000項元件 (2024.10.29)
貿澤電子（Mouser Electronics）協助客戶加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品自離開製造商工廠以後的完整路線 |
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英飛凌CoolSiC蕭特基二極體2000 V直流母線電壓最高可達1500 VDC (2024.10.28)
許多工業應用如今可以透過提高直流母線電壓以求功率損耗最低時，也朝向更高的功率水準。因應此需求，英飛凌科技（Infineon）推出CoolSiC蕭特基二極體2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立式SiC二極體，適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10 A 至80 A，符合光伏、電動汽車充電等高直流母線電壓應用 |
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Bourns全新薄型高爬電距離隔離變壓器適用於閘極驅動和高壓電池管理系統 (2024.10.27)
美商柏恩Bourns推出新款符合AEC-Q200標準的車規級薄型、高爬電距離隔離變壓器。Bourns HVMA03F4A-LP8S系列馳返變壓器專為提供高功率密度設計，實現更高效能且具備緊湊的外形尺寸，適用於閘極驅動器和高壓電池管理系統(BMS)等多項應用場合， |
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德州儀器擴大氮化鎵半導體內部製造作業 將自有產能提升至四倍 (2024.10.25)
德州儀器 （TI） 已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵 （GaN） 功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有GaN製造作業，TI 現針對GaN功率半導體的自有產能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半導體中壢新廠落成 攜手中科院強化高頻通訊技術 (2024.10.23)
格棋化合物半導體中壢新廠落成，同時宣布與國家中山科學研究院（中科院）合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用。此外，格棋也和日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的布局 |
