手機晶片大廠高通（Qualcomm）在開發LTE晶片往前邁進一步！高通確定今年將推出28奈米製程的多模LTE晶片，除了與宏達電合作推出LTE智慧型手機外，近期也計畫與OEM廠商合作推出支援LTE的平板裝置。同時，高通更積極進軍中國TD-LTE市場，推出同時整合FDD/TDD、以及3G和EDGE規格的TD-LTE晶片。

高通大中華區業務發展副總裁沈勁表示，28奈米的LTE晶片組，將瞄準智慧型手機和平板市場。

在出席台灣4G無線寬頻研討會上，高通大中華區業務發展副總裁沈勁表示，28奈米的LTE晶片組，將瞄準智慧型手機和平板市場，除了宏達電之外，高通也會深化與華寶通訊的合作廣度。在小筆電領域，高通也會繼續和華碩和宏碁密切合作。

沈勁進一步指出，100美元價格甚至以下的智慧型手機產品，將成為新興市場另一波的新商機，因此能夠整合更多無線通訊標準、具有價格競爭力的多模晶片，才有機會掌握這波中低階智慧手機的發展趨勢。未來LTE晶片勢必以多模架構為主流，非對稱（unpaired）的多時分工（Time Division Duplex；TDD）技術，可大幅降低LTE晶片功耗，並更有效地利用雙核心處理器資源。

確定在今年將會推出樣品的新款28奈米多模LTE晶片組，整合HSPA、CDMA2000 EV-DO Rev.2和EDGE等規格，統統包辦了2G～3.9G無線通訊標準，同時也結合WLAN、GPS、藍牙和FM等無線連結功能。這款雙核LTE晶片除了處理效能可達1.4GHz之外，也強調多媒體和繪圖處理的能力。

中國移動通信研究院副院長王曉雲在台灣4G無線寬頻研討會上也指出，目前除了高通之外，包括三星、邁威爾（Marvell）、ST-Ericsson、Sequans、Beceem（現為Broadcom所併購）、Altair Semiconductor、Wavesat、Nokia、LG和聯發科等，以及中國的海思（Hisilicon）、創毅視訊（Innofidei）、重郵信科（CYIT）、展訊（Spreadtrum）、中興和大唐等，都已經具備清楚的多模LTE晶片架構發展輪廓。

這些正在投入的LTE晶片商，大部分都朝向整合對稱（paired）分頻多工（Frequency Division Duplex；FDD）和非對稱分時多工（TDD）架構，並且進一步整合EDGE、TD-SCDMA或是UMTS等多模無線通訊標準。