日月光半導體日前表示，該公司與台積電已開發0.13微米銅製程低介電常數為介電層材料之焊線封裝及覆晶封裝技術，並順利完成台積電0.13微米銅製程低介電常數晶片所採用之高效能焊線封裝BGA及覆晶封裝FCBGA之認證程序。日月光指出，高速和低耗電量是決定晶片效能的重要因素，當晶線(chip wires)絕緣介質的介電常數值越低，電子訊號的傳遞速度則越快，而晶片的耗電量相應越低。因此，運用低介電常數的介電材料取代傳統的二氧化矽，不僅能夠使電子訊號更快速通過晶片內的互連點，加上以銅材料作互連結具備的低阻抗特性，更能顯著提昇IC的整體效能。

日月光副總經理唐和明表示，「這次與台積電共同研發成功，不但是雙方在高階製程技術上的一大突破，更象徵日月光邁入另一個重要的里程碑，因為我們克服銅製程低介電常數晶圓在封裝處理上的困難。藉由覆晶封裝技術，銅製程低介電常數晶片的I/O焊墊可以分佈在整個晶片表面，提供最佳的電路路徑並減少訊號電感效應，進一步強化銅製程低介電常數晶片的效能。」

台積電行銷副總經理胡正大表示，「透過低介電常數材質的製程，我們將協助客戶做到增加晶片效能的同時，並有效降低其耗電量。這次台積電為這個新的製程成功認證日月光的焊線封裝和覆晶封裝模式，讓我們能夠為希望藉由低介電常數材質製程來提昇晶片的傳輸速度和耗電量的客戶，提供一個從晶片到元件的完整解決方案。」