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SP推出首款DDR5 4800笔记型超频记忆体 提高可靠度与性能
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕报导】   2022年05月06日 星期五

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SP广颖电通正式推出首款DDR5 4800笔记型超频记忆体,DDR5具备高速度/低功耗特性,已是未来市场应用趋势。SP广颖首款新世代DDR5记忆体拥4800MHz超高频率,以及最高32GB的容量,大幅升级使用者体验。

SP广颖电通推出首款DDR5 4800笔记型超频记忆体快速多工稳定高效
SP广颖电通推出首款DDR5 4800笔记型超频记忆体快速多工稳定高效

DDR5 SODIMM记忆体,相较DDR4,无论是在速度、容量、还是可靠性均有显着提升,拥4800MHz超高频率,比DDR4标准频率上限3200MHz提升了50%,拥更快的传输速度与更高的频宽,提供多核心CPU更快速的响应速度。

1.1V超低工作电压,降低单位频宽功耗,节能省电;另配置电源管理晶片(PMIC-Power Management IC),将电源管理从主机板移至记忆体上,有效控制系统的电源负载,提供更稳定的电源供应,并提高记忆体的可靠度和性能。

DDR5 SODIMM采用8个Bank群组组合而成的32 Bank架构,比DDR4由4个Bank群组组成的16 Bank架构,多出1倍的存取可用性;简言之,DDR5的每颗IC能存取的数据为DDR4的两倍;且不同於DDR4在更新时无法执行其他操作,DDR5透过Same Bank Refresh功能,让系统可以在更新某些Bank的时候,存取其他Bank的资料,可拥更多的储存空间,使电脑同时多工运作,顺畅不卡卡。

DDR5 SODIMM的Burst Length(DRAM单个读写指令可存取的资料量)从DDR4的8增加到16,为DDR4的两倍,是增加效能的关键,这数字决定单一读写指令可存取的资料量。

DDR5 SODIMM将On-die ECC纠错功能直接加入颗粒晶片中,无须透过CPU进行修正,能自行计算并修正记忆体颗粒内部资料存取时产生的错误,为系统提供更稳定可靠的运作表现,确保资料精准传输。

DDR5 SODIMM的双通道结构让单次资料存取宽度变成32位元,拥2组独立定址的32-Bit子通道。也就是说,DDR5可一次填充处理器的64 Byte快取记忆体区块,是DDR4两倍,使电脑多核心应用可有更高的记忆体频宽,传输更多资料,效率大幅提升。

關鍵字: SP广颖电通 
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