国际整流器(IR)推出两款全新的TO-220封装HEXFET功率MOSFET，大幅提升初级(primary-side)和次级(secondary-side) DC-DC转换器电路的功率密度(power density)，使有关应用发挥最大效能。

以TO-220封装的HEXFET功率MOSFET

这些新型组件是专为电信及数据通讯系统中的高效率48V输入隔离式(input-isolated) DC-DC转换器而设计，以取代TO-247封装体积较大的组件。IRFB42N20D是专为出初级电路而设计的最佳组件；而IRF3703是专为输出功率在3.3V以下的次级应用系统而设计的最佳组件。

IRFB42N20D是一种200V MOSFET，闸电荷(gate charge) (Qg) 低于103nC。由于其闸电荷能有效减低开关损耗，因此比采用大型TO-247封装的同类型MOSFET具备更高的性能。

IRFB42N20D在110kHz的48V输入、5V输出的电阻器-电容器-二极管(RCD)-前置钳式转换器(clamp-forward converter)中，完全取代同类型TO-247的组件。在全负载 (40A) 情况下，采用TO-220封装的IR组件的应用效率更较同类型TO-247封装组件高出1%。

IR台湾区总经理朱文义表示：「全新的初级MOSFET能以更精巧封装，提升效率达到1%。功率密度的不断增加，使得设计人员必须采用更高的工作频率。因此，应用IRFB42N20D的低闸电荷，设计人员能在更小封装体积内提高开关速度应用效率。」

高效率、低电压的DC-DC转换器一般是在次级电路中以MOSFET取代Schottky二极管 (diodes)。在输出功率低于3.3V的应用中，IRF3703的优化的设计能大幅提高次级同步整流电路 (secondary-side synchronous rectification circuits)的效率。

IRF3703是TO-220封装30V MOSFET中性能最杰出的组件，RDS (on) 低至2.8 milliohm，目前市场中提供相似性能的组件还要低出20%。IRF3703的低RDS (on)性能可减低传导损耗(conduction losses)，其低闸电荷阻抗(low gate impedance)则能减低开关及驱动器损耗。

朱总经理接着指出：「在多重输出隔离式转换器中，如在次阶段中使用相同组件，电路板布局就必须简化。IRF3703能节省应用物料及加快产品推出，是次级应用系统的最佳选择。」