快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出三种新型60V N-通道沟槽式MOSFET，专为大电流汽车设备而设计，如发动机/机体负载控制、ABS、动力系管理和喷射系统。 FDB035AN06A0、FDP038AN06A0和FDD10AN06是快捷半导体针对汽车应用而推出新型中压(60V至150V) PowerTrench系列产品的首批60V元件。 （在2002年5月，快捷半导体发布​​三种用于42V汽车设备的75V沟槽式MOSFET。）该系列MOSFET元件成功达致国际公认的AECQ101标准的要求，采用PowerTrench技术实现业界最低的单个封装类型RDS (on)。

60V MOSFET

快捷半导体表示，这些中压元件的闸极电荷非常低，特别适合大功率应用。在许多新型汽车设备中若干元件必须并联，以达到极低的总体切换电阻。但由于PowerTrench MOSFET的闸极电荷低，因此所需的驱动电流以至驱动电路的尺寸也同时降低。例如，FDB035AN06A0的总体闸极​​电荷为124 nC，结合超低RDS(on) (室温下TO-263封装的最大值为3.5毫欧姆)。对于电感负载开关应用，该元件具有承受单个和重复脉冲(625mJ @ 70A)的非钳制电感性突波（UIS）能力。

快捷半导体分离功率元件事业部汽车用MOSFET行销经理Greg Hendry表示：「FDB035AN06A0、 FDP038AN06A0和FDD10AN06A只是我们在未来数月陆路续推出多种新型60V PowerTrench MOSFET元件的首批产品。目前，我们正在评估其他60V、 100V和150V元件的特性，待评估工作完成后便会投入量产。而大部分元件的样品现已有供应。」