国际整流器公司(IR)推出新晶体管IRGP50B60PD，将600V非穿孔式(NPT)绝缘闸双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT)与经强化的25A HEXFRED二极管聯合封装，有效把开关速度提升至150kHz。IRGP50B60PD扩展了高频率IGBT/HEXFRED二极管Co-Pack组件中的WARP2产品系列。

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这款经强化的新组件配备更高电流的HEXFRED二极管，有助处理高逆向电流的情况。此外，新Co-Pack组件能在1kW至12kW的高电流，高频交换式电源电路的电讯和服务器系统中发挥高效率的表现。它适用于功率因素校正(PFC)与全桥初级开关、高功率不间断电源、焊接机和工业开关式应用。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「高功率、高密度AC-DC服务器和电讯电路需采用高效率而又坚固的开关装置，提供可靠电力。校教于市面上的其他组件，IR WARP2 IGBT组件的关断损耗极低，电流下降时间极快，因此能提供更高的效率，特别是在高频率的环境下。」

最新WARP2 IGBT以IR的薄晶圆技术制成，有助缩短少數载子消耗时间，加快关断过程。此外，组件的开关末端电流极短、关断开关损耗(EOFF)极低，可让设计员达致更高操作频率。此外，WARP2 IGBT凭借更完善的开关效能，配合经优化的正温度系數特性和更低闸开通电荷，有效提升电流密度。若以并行模式操作，正温度系數能发挥安全、可靠和高效率电流共享的效能。