账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2005年10月05日 星期三

浏览人次:【1332】

功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出两款准确度为1%的单输出、同步降压PWM控制器,它们的输入电压为4.5V至16V。两款新组件IR3637SPbF和IR3637ASPbF为15A或以下的DC-DC负载点应用–如DDR内存、FPGA和视讯图像处理器,提供紧密和简单的解决方案。如结合于IR多样化的功率MOSFET使用,它们可提供比集成解决方案更大的灵活性和更完善的性能。

/news/2005/10/05/1630139859.jpg

这两款PWM控制器设有0.8V、1%准确的电压参考。在下一代系统中,外围线轨需要低至3%的总电压故障容差,以保障数据讯号的集成度。IR这两款新PWM IC具有1%的准确度,可让设计员满足这方面的严格要求。它们还具有短路保护、输入欠压闭锁及可作外部编程的软起动功能,采用标准的SO-8封装。

IR3637SPbF的操作频率为400kHz,适合处理15A或以下的输出电流,应用范围包括桌面计算机母板的外围线轨,如DDR内存和芯片组功率。IR3637ASPbF的操作频率为600kHz,能在像FPGA一类需要少于7A电流的应用中发挥最佳效率。相对于频率更低的解决方案,600kHz的操作频率能减少电感器所需的尺寸,也可增加控制环路的带宽和改善瞬变反应。两款PWM控制器皆适用于其他多种不同交换式电源应用中的通用DC-DC转换。

IR台湾分公司总经理朱文义指出:「在12V输入应用方面,设计员只有甚少的集成负载点解决方案选择。因此,我们特别以IR世界一级的MOSFET组件,开发出这两款新型IC,让设计员享有更丰富的选择,一方面发挥集成解决方案的易用性优点,一方面体现分立拓扑技术的灵活性和性能。」

關鍵字: IR  朱文义  微控制器 
相关产品
IR新款FastIRFET双功率MOSFET采用4×5 PQFN功率模块封装
IR推出电池保护应用MOSFET系列
IR推出表面黏着型75V MOSFET搭载极低导通电阻
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
IR推出75V MOSFET具有极低导通电阻
  相关新闻
» ASML助制造商简化工序、提高产能 盼2025年降每片晶圆用电30~35%
» 仪科中心SEMICON展现自主研制实绩 助半导体设备链在地化
» 台达携UI结合AI数位双生 强化半导体前後段设备软硬体创新
» 资腾科技引领先进制程革命 协助提升半导体良率
» SEMICON Taiwan开展倒数 AI与车电将助半导体产值破兆元
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK89ACOVJZ4STACUKE
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw