意法半导体(ST)宣布该公司全线采用70nm制程的NAND闪存产品现已上市。随着512-Mbit(Small Page)和1/2/4/8-Gbit(Large Page)闪存转换为ST先进的70nm制程，使该系列产品拥有领先的NAND闪存技术，并具有价格较低及功率消耗较小等特色。

NAND闪存

高容量的内存芯片专为各种计算机运算及消费电子应用产品提供大容量数据储存的功能，如，数字相机、PDA、GPS导航系统、快闪记忆卡和USB随身碟、打印机、机顶盒、数字电视机、汽车多媒体系统和多媒体手机等。

此系列产品都具有超快速度的数据传输和抹除功能。此系列产品透过一条8-bit或16-bit蚻y排来传输Address lines和Data Input/Outputs的信号，这种Multiplex技术不仅可以减少封装接脚的数量，系统还可应用模块化的NAND接口，无需改变板面的线路设计，即可自动调整使用不同容量的闪存。

新产品具有“Chip Enable Don’t Care”的功能，这个功能可简化微控制器的接口设计，以及NAND闪存与其它类型内存（NOR闪存和xRAM）的整合。 在需要采用速度更快的代码和工作内存时，及在储存大容量档案时需采用成本更低、密度更高的NAND闪存的应用中，将不同类型的内存芯片整合在一个封装内是最常用的解决方案。