账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型HE3液体钽高能电容器
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2007年07月10日 星期二

浏览人次:【1864】

Vishay宣布推出在市场上所有类似器件中具有最高电容的新型液体钽高能电容器。HE3采用含SuperTan技术的独特封装设计,可在高能应用中提高可靠性及性能。

/news/2007/07/10/1832503431.jpg

Vishay的HE3专门针对高可靠性航空电子及军用设备中的能量存储及脉冲功率应用而进行了优化,该器件采用密封的纯钽封装,可在高压力及恶劣环境中使用。

该设计采用可提高可靠性及性能的独特双密封技术,并且具有3300µF~72000µF的电容范围,在所有液体钽电容器中,这是每单位体积的最高电容。

通过利用Vishay业经验证的SuperTan混合阴极技术以及业界领先的正极设计,HE3代表了液体钽电容器技术的重大突破。在+25°C、1kHz时,其ESR值为超低的 0.035Ω。

该新型电容器的工作温度范围介于–55°C~+85°C。在120Hz、+25°C时,其标准电容容差为±20%,此外还可提供±10%的容差。

新型HE3液体钽高能电容器的样品及量产批量将于2007年6月提供,大宗订单的供货周期为8~10周。

關鍵字: //www.vishay.com  电容器 
  相关新闻
» 日本SEMICON JAPAN登场 台日专家跨国分享半导体与AI应用
» MONAI获西门子医疗导入应用 加快部署临床医疗影像AI
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK91B1FZ92SSTACUKB
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw