帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新型HE3液體鉭高能電容器
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2007年07月10日 星期二

瀏覽人次:【1863】

Vishay宣佈推出在市場上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3採用含SuperTan技術的獨特封裝設計,可在高能應用中提高可靠性及性能。

/news/2007/07/10/1832503431.jpg

Vishay的HE3專門針對高可靠性航空電子及軍用設備中的能量存儲及脈衝功率應用而進行了優化,該器件採用密封的純鉭封裝,可在高壓力及惡劣環境中使用。

該設計採用可提高可靠性及性能的獨特雙密封技術,並且具有3300µF~72000µF的電容範圍,在所有液體鉭電容器中,這是每單位體積的最高電容。

通過利用Vishay業經驗證的SuperTan混合陰極技術以及業界領先的正極設計,HE3代表了液體鉭電容器技術的重大突破。在+25°C、1kHz時,其ESR值為超低的 0.035Ω。

該新型電容器的工作溫度範圍介於–55°C~+85°C。在120Hz、+25°C時,其標準電容容差為±20%,此外還可提供±10%的容差。

新型HE3液體鉭高能電容器的樣品及量產批量將於2007年6月提供,大宗訂單的供貨週期為8~10周。

關鍵字: //www.vishay.com  電容器 
  相關新聞
» 日本SEMICON JAPAN登場 台日專家跨國分享半導體與AI應用
» MONAI獲西門子醫療導入應用 加快部署臨床醫療影像AI
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.119.132.80
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw