恩智浦半导体（NXP)于日前宣布，针对高频无线电应用推出一系列采用最新硅锗（SiGe)制程技术开发的新产品。并预计在2010年底前推出超过50种采用硅锗碳(SiGe:C) 技术之产品。该产品制程可提供高功率增益，和极佳的动态范围，专为满足现实生活中无线、宽带通讯、网络和多媒体市场领域的高频应用需求而设计。

恩智浦表示，目前已有十多种SiGe产品上市，采用其QUBIC4技术开发并销售的RF产品已超过两千五百万件。该产品制程可让无线设备制造商增加更多设备功能，同时可节省空间、及节约成本。其QUBiC4技术，可加快从GaAs技术至硅芯片技术的转移速度，带来低噪声性能和IP可用性。

目前，恩智浦提供三种不同的QUBiC4技术：QUBiC4+是针对小于5GHz应用的硅制程，例如中功率放大器；QUBiC4X约于6年前推出，是一种0.25µm SiGe:C 制程，常用于高达30GHz和极低噪声应用，例如GPS；最新推出的0.25µm QUBiC4Xi SiGe:C制程，特征频率（Ft）超过200GHz，特别适合30GHz以上，以及要求极低噪声系数的应用，例如VSAT和雷达。

以QUBiC4技术为基础的产品涵盖行动平台、个人导航设备、主动式电子扫描数组雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量设备、软件无线电技术、基地台、点对点无线连接及无线局域网络(WLAN) 等领域，皆是高频和高整合度相当重要的领域。终端用户的获益于在手机变得更小巧、更轻便的同时，仍能不断地增加更多功能。