快捷半导体公司于日前宣布,推出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT,占位面积仅为1mm x 1mm,以满足客户需求和发展趋势。
![快捷半导体推出新款升压转换器](/news/2010/08/17/1834513085.jpg) |
快捷半导体推出新款升压转换器 |
FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要组件,用以驱动串联白光LED,为智能型手机的显示屏幕(以及按键,如果有键盘的话)提供照明。FDZ3N513ZT结合了一个30V 整合式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管,具有极低的输入电容(典型值45pF)和整体闸极电荷(1nC),以提高升压转换器设计的效率。FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装,与采用1.6mm x 1.6mm封装的器件相比,可节省60% 的电路板占位空间。
快捷表示,FDZ3N513ZT是快捷半导体全面的先进MOSFET系列的一部分,能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、扁平的高性能MOSFET之需求。