Diodes日前推出12V微型P信道强化型MOSFET—DMP1245UFCL，有助于提升电池效率和减少电路板空间，并满足空间受限的可携式产品设计要求，如智能型手机和平板计算机等。

Diodes12V微型P信道强化型MOSFET以精密封装，降低传导损耗。

这款新MOSFET采用超精密和高热效率的DFN1616封装，并具有极低的导通电阻（RDS(on)），能把传导损耗降至最低，以延长电池寿命。例如在VGS为4.5V的条件下，该MOSFET的导通电阻只有29mΩ，有利于电源中断及一般负载开关的应用。

DFN1616的标准离板高度为0.5毫米，并仅占2.56平方毫米的PCB面积。同时，DMP1245UFCL为用户提供防静电放电（ESD）的增强保护。这款MOSFET的额定闸极保护为3kV，因此对人为产生的静电放电所造成的影响有抵御作用。