半导体供货商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布其先进的超接面(superjunction)功率MOSFET系列新增快速开关产品,用于高能效消费性电子产品、计算机和电信系统、照明控制器以及太阳能设备。
![超接面(superjunction)功率系列 BigPic:628x699](/news/2013/04/12/1150298520S.jpg) |
超接面(superjunction)功率系列 BigPic:628x699 |
新产品可提升设备电源能效,如200-500W中尺寸电视。如每年制造的2亿台液晶电视均采用新的MDmesh II Plus Low Qg(低闸极电荷)功率晶体管 ,每年温室气体将减排14多万吨,这个数字相当于约3万辆轿车的废气排放量 。
仅有少数芯片厂商掌握超接面技术,采用此项技术的功率晶体管具有小尺寸、耐高压和优异传导能效等诸多优点。意法半导体在这个技术领域居全球领导地位,除MDmesh功率MOSFET外,现在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。这些先进特性可降低闸极电荷数量,提高开关以及传导时的能效,有助于液晶电视常用的共振型电源节省能源。
改进其设计后,新产品降低了闸极电荷(Qg)以及输入和输出电容,这些参数有助于进一步提高开关速度和能效,推动液晶电视开发人员选用超接面晶体管设计共振电源。直到现在,超接面晶体管仍主要用于设计硬切式(hard-switching)拓扑,在电流和电压都很高的条件下执行开关操作。在共振型电源内,两个电感和一个电容(LLC功率转换器)可确保晶体管的开关电压为零,以保证系统电流曲线平滑,从而提高能效。电压瞬间变化可烧毁晶体管,引起假性开关,MDmesh II PlusTM Low Qg新系列拥有高抗瞬变能力,可承受输入电压突然剧变(dv/dt),让新产品能够在AC电力在线噪声和谐波等瞬变事件恶劣的环境中稳定工作。
首款投入量产的MDmesh II PlusTM Low Qg产品为采用TO-220封装的STP24N60M2。意法半导体将扩展此系列至50余款不同封装的产品,如TO-220FP、 I2PAK、I2PAK FP、D2PAK、TO-247 和PowerFLAT 8x8。
STP24N60M2主要特性:
1. 通态电阻(RDS(ON)):190mΩ
2. 崩溃电压:600V
3. 最大连续漏电流(ID):18A
4. 抗dv/dt能力:50V/ns
5. 100%通过崩溃测试(avalanche test)