Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体，采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小，可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。

DXTN07xxxxFG(NPN)与DXTP07xxxxFG(PNP)系列以工业级消费性市场为目标，范围涵盖25V至100V VCEO；同时具备2W总功率消耗及最高+175。C额定作业温度。新款电晶体采外壳用小型PowerDI 3333表面黏着封装，尺寸仅3.3mm x 3.3mm x 0.8mm，占用PCB的空间比传统SOT223少70%，以散热效率更高的封装提供类似的功率消耗。

PowerDI3333封装具有可润湿侧翼(wettable flank)，可提高PCB传输速率，促进焊接点的高速自动光学检查(AOI)，因此无需使用X光检查。