意法半导体（ST）宣布开始量产STISO621双通道数位隔离器，该新系列高性能隔离器适合工业控制应用，可替代普通的光耦元件。

意法半导体数位隔离器采用新型厚氧化物电流隔离技术，可提升性能和可靠性。

STISO621的两个隔离区域之间资料传输速率可达100Mbit/s，脉冲失真低於3ns，采用意法半导体6kV厚氧化层电流隔离技术。该元件具备两路独立单向通道，适用於处理双向资料的UART收发器介面。每路通道都有施密特触发器输入，确保隔离器能提供较高的抗噪能力。

在相互电流隔离的STISO621两端，电源电压彼此独立。每个电源可以在3.3V和5.5V的宽电压范围之间转换电位。65kV/μs的典型共模瞬变抗扰度（Common-Mode Transient Immunity；CMTI）可保护低压侧，在恶劣环境中免受高开关瞬变而影响。

STISO621适用於电源、马达驱动器、电表、逆变器、电池监测器、电器、现场汇流排隔离器、对尺寸要求严格的多通道隔离转接头，以及整个工业自动化系统中的常规隔离等各种工业和消费性应用。产品设计符合高压隔离装置测试规范VDE0884-10和UL 1577。

EVALSTISO62XV1评估板有助於加快多种应用情境的设计速度。意法半导体还提供了EVALSTPM-3PHISO，一个专门为三相隔离电表系统用例制作的叁考设计。这个设计整合了用於分离高电压域的STISO621，以及意法半导体高精确度STPMS2电表计量前段IC，还提供在STM32微控制器运行之用於计算测量三相资料和电能质量数据的专用韧体。

STISO621具有1200Vpeak的最大运作隔离电压（V_IOWM）和高冲击耐受电压（V_IOWM），其电流隔离功能不随时间变化，在任何系统故障期间，均能保持电流隔离功能的完整性。两款封装可供选择，STISO621采用4mm爬电距离和电气间隙的SO8窄体封装，V_IOWM电压为4800V。而STISO621W则采用爬电距离和间隙为8mm的SO8宽体封装，V_IOWM为6000V。在-40。C到125。C的温度范围皆可确保其高性能。

STISO621和STISO621W均已量产。