盛美半导体设备（上海）股份有限公司，今日推出新型化学机械研磨後（Post-CMP）清洗设备。这是盛美上海的第一款Post-CMP清洗设备，用於制造高品质衬底化学机械研磨（CMP）制程之後的清洗。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用於碳化矽（SiC）衬底制造；8英寸和12英寸配置适用於矽片制造。

盛美上海为矽片和碳化矽衬底制造推出新型预清洗设备

该设备有湿进乾出（WIDO）和乾进乾出（DIDO）两种配置，并可选配2、4或6个腔体，拥有每小时60片晶圆的最大产能（WPH）。

盛美上海董事长王晖博士表示：「全球设备供应链的交付时间继续延长，这为盛美上海提供了一个绝隹时机，我们可以凭藉在半导体清洗制程技术方面的丰富经验进入清洗市场，进一步扩大清洗产品组合。Post-CMP清洗设备为盛美上海的客户提供了一种稳定、可靠且具有成本效益的解决方案，同时还能缩短交货时间，大大缓解短缺的现状。」

在CMP步骤之後，需要在低温下使用稀释的化学品进行物理预清洗制程，以减少颗粒数量。盛美上海的Post-CMP清洗设备能够满足这些要求，并提供多种配置，包括盛美上海独创的 Smart Megasonix先进清洗技术。

第一种配置是新型WIDO线上预清洗设备，它可以直接与现有的CMP设备对接。晶圆自动转移到两个刷洗腔体中，使用化学和冷去离子水（CDIW）同时对晶圆正面、背面和斜面边缘进行处理。然後将晶圆转移至两个或四个清洗腔体，并使用多种化学品和 CDIW 进行处理。

这一过程通过氮气（N2）乾燥和高速旋转完成，可实现37纳米以下少於15个剩馀颗粒的处理，或28纳米以下20-25个剩馀颗粒的处理，同时金属污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以内。当配置4个腔体的时候，WIDO预清洗设备可提供高达每小时35片晶圆的产能。

第二种配置是新型DIDO预清洗独立设备，它配有四个装载埠，比WIDO预清洗设备占地面积更小，适用於CMP产线具有内置清洗腔的客户，从而保持取出的晶圆乾燥良好。在这种配置下，晶圆通过装载埠手动转移到预清洗设备中，然後进行与WIDO预清洗设备中相同的处理。

DIDO预清洗设备有四腔或六腔配置，分别为两个软刷和两个清洗腔体或两个软刷和四个清洗腔体。DIDO预清洗设备可实现与WIDO预清洗设备相同的金属污染清洗效果。并且在使用配置六腔体设备时，产能可达到每小时60片晶圆。

第三种可用配置是WIDO离线预清洗设备，适用於晶圆厂占地面积较小的情况。使用该设备时，从CMP设备中出来後的湿晶圆需转移到DIW中，并手动转移至WIDO离线预清洗设备中，使用相同清洗制程，可实现相同的颗粒清洗性能，产能可达每小时60片晶圆。