英飞凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式（DAB）、HERIC、降压/升压和相移全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些 MOSFET 适用於典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业马达驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、伺服器/资料中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。

CoolSiC MOSFET 750V QDPAK

CoolSiC MOSFET 750 V G1 技术的特点是出色的 R_DS(on) x Q_fr和R_DS(on) x Q_oss优值（FOM），在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高临界电压（V_GS(th)，典型值为4.3 V）与低 QGD/QGS 率组合具有对寄生导通的高度稳健性，并且实现了单极性闸极电压驱动，不仅提高了功率密度，还降低了系统成本。所有半导体元件均采用英飞凌的自主晶片连接技术，在同等晶粒尺寸的情况下赋予晶片出色的热阻。高度可靠的闸极氧化层设计加上英飞凌的认证标准，保证了长期稳定的性能。

全新 CoolSiC MOSFET 750 V G1 产品系列在 25。C 时的R_DS(on)为 8 至 140 mΩ，可满足广泛的需求。其在设计上具有较低的传导和开关损耗，大幅提升了整体系统效率。创新的封装更大程度地减少了热阻、帮助改善散热并优化电路内功率环路电感，在实现高功率密度的同时降低系统成本。该产品系列特别采用先进的QDPAK顶部冷却封装。

适用於汽车应用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 采用QDPAK TSC、D2PAK-7L和 TO-247-4 封装；适用於工业应用的 CoolSiC MOSFET 750 V G1 采用 QDPAK TSC 和 TO-247-4 封装。