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宜鼎推出DDR5 6400记忆体,具备同级最大64GB容量及全新CKD元件,助力生成式AI应用稳定扎根
 

【CTIMES/SmartAuto 翁家騏报导】   2024年10月30日 星期三

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全球AI解决方案与工业级记忆体领导品牌宜鼎国际(Innodisk)领先推出DDR5 6400记忆体模组,具备单条64GB的业界最大容量。产品采用全新的CUDIMM与CSODIMM规格,增设CKD晶片(用户端时脉驱动器)以提升传输讯号稳定性,并透过TVS(瞬态电压抑制器)防止因电压不稳造成元件毁损,为边缘应用提供至关重要的高稳定度。

宜鼎DDR5 6400记忆体
宜鼎DDR5 6400记忆体

宜鼎DDR5 6400记忆体相较前代产品,可提供高出14%的速度及双倍容量,广泛适用於自驾车、智慧医疗、安防监控等高精密影像辨识场景;未来更可支援在边缘端日益普及的生成式AI发展,包括LLM(大型语言模型)、MR(混合实境)等创新应用。

业界同级最高储存容量,CKD/TVS晶片多重防护、确保边缘运算稳定性

宜鼎DDR5 6400系列记忆体模组,具备目前业界最高的单条64GB储存容量,可呼应LLM等对记忆体容量需求较高的应用领域,并推出CUDIMM、CSODIMM两种崭新规格,在模组上增设独特的CKD元件,针对时脉讯号进行驱动与缓冲、可有效减少干扰或杂讯,确保在高频传输下的讯号完整性;有助於在智慧医疗、自驾车等需要极高精准度的应用场景中,有效降低杂讯导致的错误风险。

此外,为强化防护,宜鼎DDR5 6400全系列产品皆搭载TVS二极体,可传导因电压异常所产生的过电流、并将其释放到地面,防止静电、电压波动等突发状况损害模组元件。其中针对伺服器应用推出的RDIMM规格,更因应伺服器系统电压较高的特性,特别配备eFuse(电子熔断器),当电压超过额定值时,eFuse将自动中断电路、防止元件损毁。

而针对严苛的边缘运算环境,宜鼎DDR5 6400全系列皆采用30μ”增厚金手指与抗硫化技术,并可支援0。C~95。C (Tc)温度范围,未来更预计加入-40。C ~95。C (Tc)的宽温支援,确保在各式环境条件下皆能维持稳定运作。

助力影像辨识应用,接轨生成式AI未来突破性

宜鼎DDR5 6400记忆体模组凭藉高速传输、高精准度与稳定的运算效能,不仅支援当前的高阶影像辨识应用,更将加速生成式AI技术在边缘端的创新发展。就生成式AI在边缘端的应用而言,便相较云端运算更具即时性与资安管理优势,也成为下一阶段产业智慧化的关键解方之一。以智慧工厂为例,便可透过LLM,即时整合庞杂的生产进度、工时、原物料管控等边缘数据,转化为更直觉、更精炼的资讯,协助管理者快速决策。而在远距医疗领域,医生则可透过混合实境技术,结合即时传输的高解析3D影像辨识与病理资料分析,为远端的患者进行精密的手术治疗。

宜鼎DDR5 6400记忆体模组具备8GB至64GB的容量选项,以及CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM与RDIMM等多重规格,为新世代的边缘运算场景提供灵活多元的记忆体解决方案。

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關鍵字: 微处理器  影像处理器  动态随机存取内存  其他記憶元件  内存模块 
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