快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗 (VCE(sat)) 对断开关损耗 (Eoff) 比，提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不断电系统 (UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通变频器。与使用非穿通型 (NPT) 技术的同类组件相比，快捷半导体的FMG2G75US120可减少功率损耗达20%。(在CO2 焊接应用中的测试取得良好效果：20kHz 开关频率；380V 3相输入；300A输出；全负载条件下峰值电流为40A；及全负载条件下最大功率为最高20%) 。为了在目标工业应用中达到高可靠性要求，快捷半导体的新型1200V IGBT 功率模块还具有极低的VCE(sat) 温度变化偏差。额定值为75A的FMG2G75US120在25 至125°C温度范围内的最大偏差值仅为0.1V。两款1200V组件同时具有全面的10微秒短路耐受时间和反正方形偏压安全工作区域 (RBSOA)，进一步提升系统的稳定性。

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FMG2G50US120和FMG2G75US120采用2-PAK模块封装，通过了UL认证。1200V IGBT模块的推出扩大了快捷半导体针对工业应用的产品种类，包括用于AC/DC转换、DC/AC转换、马达和速度控制、绝缘、数据捕捉、指示器和显示器，以及DC/DC转换各种组件。