快捷半導體(Fairchild Semiconductor)推出兩種新型1200V IGBT模組 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，電流額定值分別為50A和75A，具有最佳化的導通損耗 (VCE(sat)) 對斷開關損耗 (Eoff) 比，提供非常低的總體功率損耗，適用範圍涵蓋焊接設備、不斷電系統 (UPS)，以及工作頻率在10kHz-30kHz的普通變頻器。與使用非穿通型 (NPT) 技術的同類元件相比，快捷半導體的FMG2G75US120可減少功率損耗達20%。(在CO2 焊接應用中的測試取得良好效果：20kHz 開關頻率；380V 3相輸入；300A輸出；全負載條件下峰值電流為40A；及全負載條件下最大功率為最高20%) 。為了在目標工業應用中達到高可靠性要求，快捷半導體的新型1200V IGBT 功率模組還具有極低的VCE(sat) 溫度變化偏差。額定值為75A的FMG2G75US120在25 至125°C溫度範圍內的最大偏差值僅為0.1V。兩款1200V元件同時具有全面的10微秒短路耐受時間和反正方形偏壓安全工作區域 (RBSOA)，進一步提升系統的穩定性。

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FMG2G50US120和FMG2G75US120採用2-PAK模組封裝，通過了UL認證。1200V IGBT模組的推出擴大了快捷半導體針對工業應用的產品種類，包括用於AC/DC轉換、DC/AC轉換、馬達和速度控制、絕緣、資料捕捉、指示器和顯示器，以及DC/DC轉換各種元件。