香港商富士通微电子有限公司台湾分公司8日宣布，东京工业大学（Tokyo-Tech）、富士通实验室(Fujitsu Laboratories Ltd.)与富士通有限公司已经聯合开发出一种用于新一世代非挥发性铁电内存(FeRAM)的新型材料。相较于目前FeRAM生产中使用的材料，此种包含铋铁氧体（BiFeO3

或BFO）的合成材料能提供多出五倍的资料储存容量。

藉由采用類似于以180奈米制程技术制造的FeRAM所使用的装置架构，此款全新FeRAM采用以BFO为基础的材料，并运用65奈米制程技术所打造，因此可将记忆容量扩展到256Mbit。

新款FeRAM具备超低功耗与高速传输速度，可满足新一世代个人化行动电子产品，例如：拥有小巧、易于操作、高安全性等特点的IC卡等。对于这類电子产品來說，非挥发性的FeRAM装置是最适合的选择。富士通预计将于2009年推出样品。