恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新产品组合由25种组件组成，其中包括低R_Dson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管。此全新产品系列凭借其超小尺寸和高性能，相当适用于可携式、空间受限应用的电源管理和负载开关，特别因外形大小、功率密度和效率皆为关键因素。

恩智浦推无铅塑料封装3 A晶体管

恩智浦半导体晶体管产品经理Joachim Stange表示：「在微小的塑料封装内达到如此高的汲极和集极电流值是前所未有的。凭借这一突破性的里程碑，恩智浦将继续挑战MOSFET和双极性晶体管在超紧致封装和性能方面的极限。」

全新产品系列采用两种封装：单晶DFN1010D-3 (SOT1215)封装，功耗最高达到1 W，具备镀锡与可焊式侧焊垫的特性。这些侧焊垫提供光学焊接检测的优势，与传统无铅封装相比，焊接连接质量更好，能满足严格的汽车应用要求。双晶封装DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空间仅为1.1-mm²，是双晶体管可采用的最小封装。

采用DFN1010封装的产品可替代许多WL-CSP装置。另外，该封装也可以取代体积更大的DFN封装和标准含铅SMD封装（例如达其体积八倍的SOT23），同时提供同等甚至更为出色的性能。

全新产品组合主要特点：

‧ 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封装

‧ 功率消耗(Ptot) 最高达到1 W

‧ 采用镀锡与可焊式侧焊垫，贴装性能更好，符合汽车应用要求

‧ 单信道和双信道MOSFET（N-ch/P-ch）

‧ R_DSon值低至34mOhm

‧ ID最高达到3.2 A

‧ 电压范围为12 V至80 V

‧ 1 kV ESD保护

‧ 低V_Cesat (BISS)单晶体管

‧ V_CEsat 值低至70 mV

‧ 集极电流(IC)最高达到2 A，峰值集极电流(ICM)最高达到3 A

‧ V_CEO范围为30 V至60 V

‧ 符合AEC-Q101标准

‧ 双信道NPN/PNP配电阻（数字）晶体管（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101标准）

‧ 通用单晶体和双晶体管