盛美半导体设备（上海）股份有限公司，宣布已接到29台Ultra C wb槽式湿法清洗设备的批量采购订单，该设备可应用於加工300mm晶圆，其中16台设备的重复订单来自同一家中国国内代工厂，重复订单的目的是支援该工厂的扩产。此批设备计画从2022年开始分两个阶段发货。

盛美上海董事长王晖博士表示：「我们开发槽式湿法系统是为了覆盖更广泛的技术节点下，客户对湿法清洗技术的需求。这笔订单证明了我们以极具竞争力的产品，使公司产品组合完成从先进清洗制程到全清洗制程覆盖的策略是正确的。能从客户手中获得这笔重复批量订单证明我们的策略是成功的，因为这笔订单来自同一家代工厂，而且属於槽式湿法清洗市场范畴。这也明确展示了我们的技术实力、日渐稳固的市场领先地位以及满足客户需求的能力。加上盛美上海的先进低压乾燥技术，我们的槽式产品几??可以完成一切使用槽式清洗设备的清洗制程步骤。」

王晖董事长提及之先进乾燥技术，为盛美上海於今日宣布推出，用於300mm槽式系统的ULD（超低压乾燥）技术。该制程专门为解决槽式清洗中乾燥技术难题而设计，例如先进半导体晶圆上的3D NAND结构及逻辑产品的高宽深比结构在槽式清洗中的乾燥问题。

盛美上海的新型ULD槽式模组使用低压异丙醇（IPA）乾燥制程来满足大多数槽式清洗乾燥制程的要求，包括炉管前清洗、离子注入後清洗和乾法刻蚀後光刻胶去除、化学机械抛光（CMP）後清洗以及薄膜沉积、氧化层刻蚀和氮化物去除等制程。

盛美上海已於2021年第三季度，向一家领先的中国记忆体半导体制造商，交付首个ULD模组，初步的制程资料已证明ULD在先进节点制造中的有效性。

Ultra C wb槽式湿法清洗设备的主要清洗应用，包括炉管前清洗、RCA清洗、光阻去除、氧化层刻蚀、氮化矽去除，以及晶圆回收制程中前段FEOL多晶矽/氧化矽层剥离去除，和後段BEOL金属层剥离去除。

可配置独立的多种化学液清洗（MCR）模组，按不同的制程组合在该模组中依次使用多种清洗药液，如SC1、SC2、DHF、DIO3、DIW等，清洗效果好，避免交叉污染，成本低。Ultra C wb槽式湿法清洗设备有效利用化学药液和去离子水（DIW），环境友好，且凭藉其精巧的模组化设计，占用空间小的优点，可以在生产车间灵活配置。

该ULD模组利用高温氮气（N2）配合高温IPA，降低晶圆乾燥时液膜的表面张力，增加水离开晶圆表面时 IPA 和 DIW 的表面张力梯度。该模组可降低IPA/N2混合中乾燥模组环境的压力，加速IPA替代置换DIW速率以及IPA在晶圆表面的蒸发。

该技术极大地提高晶圆的乾燥性能，尤其是应用於较大深宽比结构和较小图形尺寸的晶圆表面时，极大降低浮水印和颗粒残留的污染风险，缩短乾燥时间并有效避免晶圆图形塌陷变形等问题。