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【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年05月17日 星期五

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全球领先的全套互连产品供货商Molex公司宣布推出空气动力型DDR3 DIMM插座和超低侧高DDR3 DIMM 内存模块插座产品组合,这两款系列产品均可满足电信、网络和储存系统、先进运算平台、工业控制和医疗设备中对内存应用的严格要求。

超低功率内存技术 BigPic:600x414
超低功率内存技术 BigPic:600x414

DDR3是一项已制定完成的DDR DRAM接口技术,支持时钟频率为400 至 800 MHz的800 至 1600 Mbps数据速率,是DDR2接口数据速率的两倍。采用标准1.5V工作电压,DDR3对比DDR2在功耗上减少30%。Molex的DDR3 DIMM插座具有比标准设计更低的底座面,让ATCA刀锋系统中可以使用底座最大和高度低于2.80 mm的极低侧高模块。新型DDR3 DIMM插座还具有10 mΩ的低位准接触电阻,可以使用已注册的DIMM模块及降低刀锋式服务器中的功耗。

Molex产品经理Douglas Jones表示:“随着更高带宽需求的不断增长,拥有以较快速率传输数据而不牺牲宝贵空间或功率的能力是十分重要的。我们的客户在使用DDR3 DIMM插座时,能够利用终极高性能内存互连,同时维持或缩小现有封装尺寸和降低功耗。”

Molex 空气动力型DDR3 DIMM插座具有流线型的外壳和闭锁(latch)设计,实现气流最大化及消除运作期间所聚集的热空气。人类环境学闭锁设计能够实现快速动作及轻易地移除高密度内存模块。2.40 mm的低底座面已将垂直空间优化,以便提供更灵活的插座模块设计高度。空气动力型DDR3 DIMM插座可提供极低侧高压接(14.26 mm)、低侧高压接(22.03 mm)、低侧高SMT (21.34 mm)和极低侧高SMT (14.20 mm)高度等不同的版本。与标准压接终端相比,这些压接插座具有更小的针孔型顺应引脚,从而为更高密度的迹线路由释放宝贵的PCB空间。所有Molex的空气动力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS标准,而SMT版本则不含卤素。

Molex超低侧高DDR3 DIMM插座具有仅高1.10 mm的底座面,是产业中最低的。该插座在PCB上提供最高20.23 mm的垂直空间来安装高密度的DIMM,适用于要求符合ATCA电路板机械规范的应用。这项规范要求前板(front board )PCB板一侧的组件高度不能超过21.33 mm。超低侧高DDR3 DIMM插座还具有更小的闭锁动作角度,可以使用比标准DIMM插座更少的PCB空间,改善气流和使已安装的组件变得更接近。新型无卤素插座具有玻璃填充的高温尼龙外壳和闭锁装置,将采用波峰焊和高温红外回流焊作业变成可能。

關鍵字: 超低功率記憶體技術  Molex 
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