快捷半导体（Fairchild Semiconductor）近日宣布，推出优化功率MOSFET产品UniFET II MOSFET以应需求。新产品具有更佳的寄生二极管和更低的开关损耗，并可在二极管复原dv/dt模式下承受双倍电流应力。

快捷半导体推出优化功率MOSFET产品

快捷半导体的UniFET II MOSFET之逆向复原性能较其它解决方案提升50%。如果逆向复原速度较慢，则无法处理高逆向复原电流尖峰，导致更高的开关损耗，以及功率MOSFET过热。而快捷半导体的解决方案则能够承受较现有解决方案高两倍以上的电流应力。

UniFET II MOSFET组件以快捷半导体的进阶平面技术为基础，能够提供更佳的质量因子（FOM）（FOM: RDS(ON) * Qg）、更低的输入和输出电容，以及最出色的逆向复原性能，同时具有高效率。而且，这些MOSFET组件在小型封装中容纳了大量的功率，但不会产生过多的热量，所以能够提升用于液晶体电视和电浆电视的SMPS，以及用于照明系统、计算机电源、服务器和电讯电源的SMPS应用的整体效率。