国际整流器公司(IR)推出最新150V DirectFET MOSFET–IRF6643PbF，适用于包括36V至75V通用电讯输入及48V固定输入系统等多种运作环境的隔離式DC-DC转换器。新DirectFET组件结合了IR的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅晶体，电流额定可达至35安培，并提供卓越的散热效能和更高的效率，但占位面积只与较短小的SO-8封装相若。

150V DirectFET MOSFET

IR台湾分公司总经理朱文义表示，「IR DirectFET系列的最新组件继续改善决定功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD效能表现的关键參數，所以能把传导、切换及反向修復损耗降至最低。这些改进使让组件能在较高的电流量下运作，但同时保留单一MOSFET的小巧体积。」

朱氏续称，「基于把电路版的面积减少逾50%，现在一枚DirectFET MOSFET可以代替兩枚或三枚SO-8封装组件。」

新组件的典型10V RDS(on)非常低，只为29mOhms，其低电感也使组件适合高电流同步整流插座。同时，IRF6643TRPbF的QG是39nC、QGD为11nC，數目非常低，因而可作为隔離式或DC-DC降压转换器的MOSFET。IRF6643TRPbF采用中级大小(MZ)DirectFET封装。

IR已获专利的DirectFET MOSFET封装，具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。它们的金属容器结构可提供双面冷却功能，把用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的组件皆符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。