英飞凌(Infineon)日前宣布推出全新650V CoolMOS C6/E6高效能场效晶体管(MOSFET),结合先进超接面(super junction)技术,低导通电阻以及降低电容切换损失之优势、简单易用的开关以及高度耐用的二极管。C6和E6系列采用相同的技术平台,前者是专为简单易用而设计,后者则提供最高的效率。
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英飞凌推出 650V CoolMOS™ C6/E6 高压晶体管,为交换式应用产品提供效率及简易的控制 |
CoolMOS C6/E6系列是英飞凌所推出,采用高压超接面技术MOSFET的第六代产品。新款650V CoolMOS C6/E6产品提供快速且可控制的切换效能,支持对效率及功率密度有高度需求的应用。650V CoolMOS C6/E6产品易于进行设计(design-in),非常适用于各种节能的交换式应用,例如笔记本电脑的变压器、太阳能以及其他需要额外击穿电压电位差的SMPS应用产品。
相较于CoolMOS C3 650V系列,新款650V CoolMOS C6/E6系列的输出电容(Eoss)可减少储存电力达 20%,而 C6/E6经过改良的本体二极管,在对抗硬式整流(hard commutation)时,显示高度的耐变性,并可减少25%的逆向回复电荷。C6/E6系列产品的闸级电阻经过调整,设计能够维持平衡,因此切换时不会出现过电压及电流斜率。