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Diodes推出新型MOSFET H桥组件
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2009年07月02日 星期四

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Diodes公司推出四款H桥MOSFET封装,为空间有限的应用减少组件数量和PCB尺寸,显著简化DC散热扇和CCFL反相器电路的设计。

Diodes新型MOSFET H桥组件,实现DC散热扇和反相器设计。
Diodes新型MOSFET H桥组件,实现DC散热扇和反相器设计。

Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出,ZXMHC零件采用SO8封装,设有两对互补型N和P信道MOSFET,可以取代四个分立的SOT23封装MOSFET或两个SO8互补型MOSFET封装。它们适用于目前不同类型的马达或其他电感负载驱动装置,可以节省至少一半的PCB占位面积,并大幅降低整体存货成本。

ZXMHC3A01N8和ZXMHC3F381N8两款30V的H桥组件,可以于12V DC散热扇和反相器应用中派上用场,提供低通态电阻性能选择。60V额定ZXMHC6A07N8和100V额定ZXMHC10A07N8分别专用于24V DC和48V DC马达控制电路。

關鍵字: MOSFET  Diodes  梁后权  电源组件 
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