国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型逻辑电平闸极驱动沟道HEXFET功率MOSFET，它们具有基准通态电阻（RDS（on））及高封装电流额定值，适用于高功率DC马达和电动工具、工业用电池及电源应用。

新型逻辑电平沟道MOSFET

最新的基准MOSFET系列采用了IR最新的沟道技术，在4.5V Vgs下拥有相当低的RDS（on），温度效率显著得到改善。此外，新组件更高的电流额定值，从多余的瞬变提供更多防护频带，并减少并行类拓朴的组件数目。这类拓朴由几个MOSFET共享高电流。借着高达195A的封装电流额定值，产品的TO-220、D2PAK和TO-262封装较典型封装能够改善超过60%的额定值；与标准D2PAK相比，7引脚D2PAK也进一步减低多达16%的RDS（on），提供更多完善的选择。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示，新推出的逻辑电平闸极驱动沟道MOSFET备有基准RDS（on），能够由微型控制器或弱电池驱动，提升在轻负载状态下的效率。这些新组件非常适合高电流DC-DC转换和DC马达驱动应用。

新逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围由40V至100V。它们已得到工业级和MSL1湿气敏感度认可，更具备所有标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、TO-262，以及7引脚D2PAK。新组件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定（RoHS）。