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Fairchild与Infineon达成创新型汽车MOSFET无铅封装技术许可协议
 

【CTIMES/SmartAuto 蔡維駿报导】   2012年04月20日 星期五

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快捷半导体(Fairchild)和英飞凌科技(Infineon)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (附散热片之小形扁平接脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。

这款封装专为包括油电混合车电池管理、电动助力转向系统 (EPS)、主动式交流发电机(active alternator)和其他高负载电气系统等高电流汽车应用而设计。TO无铅封装是第一个具有300A电流处理能力的封装。这种封装在线路板占用空间方面比现今的D2PAK封装具有更明显的优点,能减小占用空间20%以上,封装高度降低50%。

为了满足更高效率和更低排放强制要求,开发新型发动-停止系统、电动助力转向、电池管理和主动式交流发电机的汽车电子企业正不断寻求创新型解决方案,同时必须尽量减小产品由单一供货商供货的风险。为了确保产品供应的可靠性,快捷半导体和英飞凌达成此项协议,目的是将先进的TO无铅MOSFET方案带入汽车市场,同时大大降低单一供货商来源带来的风险。

快捷半导体将TO无铅功率封装技术用于其最新的MOSFET技术,预计于二○一二年下半年提供第一个采用TO无铅封装的MOSFET组件,并于二○一三年中期提供在产组件。

關鍵字: MOSFET封装技术  Fairchild 
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