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安森美半导体推出乙太网供电(PoE)方案 支援IoT端点日益增长的功率需求
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年09月06日 星期五

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推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),凭藉不断增长的符合IEEE802.3bt标准的产品和技术阵容引领产业。乙太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准,可用於通过局域网(LAN)联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支援新标准的功率限制,还将功率扩展到100 W用於电信和数位标识等系统。

安森美半导体推出新的乙太网供电(PoE)方案支援IoT端点日益增长的功率需求
安森美半导体推出新的乙太网供电(PoE)方案支援IoT端点日益增长的功率需求

新的IEEE802.3bt PoE标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场,使更精密的端点可在更大的网路运行。IEEE802.3bt标准通过新的「Autoclass」特性最隹化能量管理,令受电装置(PD)将其特定的功率需求传递给供电装置(PSE)。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量,从而最大化可用能量和频宽。

与IEEE 802.at标准(PoE+)提供的30 W相比,IEEE 802.3bt可提供高达90 W的功率和互联到新的应用,无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑,并提供更稳定的「随??即用(plug and play)」用户体验。

商业信息供应商IHS Markit电源半导体高级分析师Kevin Anderson表示:「乙太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一,预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用,如更高功率联接的照明、联网的高解析度监控摄影机和高性能无线接入点。」

NCP1095和NCP1096介面控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础,具有PoE介面所需的所有特性,包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热??拔FET。NCP1096整合的热??拔FET具有Type3或Type4 PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge四通道MOSFET,为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些元件赋予高能效的PoE介面,最高可达标准的90 W功率限制,若需更高的功率,可用专用的100 W方案。

安森美半导体工业和离线电源配置??总裁Ryan Cameron表示:「作为一家专注於高能效的公司,我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。安森美半导体提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案,使这技术更容易普及所有开发工程师,有助於使更多联接的装置拥有保证的互通性。」

關鍵字: 以太网  安森美 
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