在开关式电源供应器 (SMPS) 中，每次导通或截止功率 MOSFET 的过程中，寄生电感会造成地电位的偏移。这可能导致闸极驱动 IC 不受控制的切换行为。在极端情况下，可能导致功率 MOSFET 电气过载以及 SMPS 故障。为解决此问题，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下 EiceDRIVER? 系列推出单通道低侧闸极驱动 IC 1EDN7550 与 1EDN8550，具有真正的差分输入控制，可有效防止功率 MOSFET 误触发。1EDN7550 与 1EDN8550 适用於工业、伺服器及电信 SMPS 以及无线充电应用、电信 DC-DC 转换器，以及电动工具。

英飞凌1EDNx550 EiceDRIVERTM 非常适合控制具有 Kelvin 源极接点的功率 MOSFET。

EiceDRIVER 1EDN7550 与 1EDN8550 具±70 V最高抗静态接地偏移的能力，在最高 ±150V 的动态接地偏移之下仍可保证安全运作，且无需切断接地??路。由於该款闸极驱动 IC 具有真正的差分输入判断，因此只有两个输入之间的电压差值会对闸极驱动 IC 的切换行为产生决定性作用。

1EDNx550 EiceDRIVER 非常适合控制具有 Kelvin 源极接点的功率 MOSFET。这些闸极驱动 IC 提供非常充足的抗接地偏移能力，不受功率 MOSFET 的寄生源极电感造成的地电位偏移影响。相较於电气隔离型闸极驱动 IC，这些单通道低侧闸极驱动 IC 具更隹的成本优势以及节省更多的空间。

此外，1EDNx550 系列是具成本效益的解决方案，适用於控制 IC (提供控制讯号至闸极驱动 IC) 到闸极驱动 IC 之间具有很长的走线距离的应用。这可能是因为产品设计的需求、所选择的印刷电路板技术，或控制小卡的概念。上述情况的共通点为，寄生地??路电感是造成控制 IC 与闸极驱动 IC 之间发生地电位偏移的原因。1EDNx550 系列能够解决上述挑战，并可缩短产品开发时间。

英飞凌 1EDNx550 低侧闸极驱动器系列采用 SOT-23 6 脚位封装。相较於传统解决方案，它能以更低的成本实现更高的功率密度，并缩短产品开发的时程。