安森美半导体，近日宣布推出了一项独特的沟道处理科技，相较于市场上其他沟道处理产品，其平均可增进导通电阻效能达40%。安森美半导体在今年底前，计划推出一个以此创新之沟道处理科技为基础的完整P通道及N通道MOSFET产品线。而在本季中将推出的初始元件所针对的应​​用为负载管理、电路充电、电池防护、以及可携式和无线产品中之dc-dc转换等。专为电脑和自动化应用而设计之高效能元件将随后推出。

P通道及N通道MOSFET产品线

安森美半导体副总裁暨整合电源产品部总经理Ramesh Ramchandani表示，「我们将改进的单元结构与安森美半导体的沟道科技结合，成就了业界效能最佳的导通电阻特性，可直接转换而延长电池寿命、更高的电源转换特性、以及更高的热效率。」他进一步表示，「目前市场上以沟道科技为基础的MOSFET产品选择非常多，但安森美半导体切入市场的优异元件，是以最先进的处理科技为基础。」

安森美半导体独特的沟道科技，实现了业界最高的通道密度，且在一定的封装面积上提供了最佳的导通电阻效能。例如，安森美半导体可提供ChipFET封装(1.8mm x 3.3mm)之8V、P通道和20V、P通道产品，其导通电阻分别为19 mOhms和21 mOhms。平均来说，这些导通电阻值在闸电压为4.5V时，相较于市场上其他相同封装面积的产品，所反映的是40%的增进效能。安森美半导体即将推出的Micro-8LL (3.3 mm x 3.3 mm) 、 TSOP-6 (3 mm x 3 mm) 和SC-88 (2.0 mm x 2.0 mm) 封装之MOSFET，也预期能增进同样比例的效能。