意法半导体（STMicroelectronics）今（5）日发表，推出新系列射频（RF）功率晶体管。新系列产品采用先进技术，为政府通讯、用于紧急救援的专用行动无线电系统（private mobile radio，PMR）以及L波段卫星上连（L-band satellite uplink）设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性。

新系列射频（RF）功率晶体管

保全和紧急救援组织及商业通讯公司所使用的无线基地台和中继器等通讯设备必须在输出大功率高频RF讯号的同时保持低失真率，这两个相互矛盾的要求使系统设计变得更加复杂，并增加了相对的产品成本。多年来市场应用证明，LDMOS技术可以为设计人员实现这些目标。

LET系列RF晶体管采用意法半导体最新的STH5P LDMOS制造技术，拥有更高的功率饱和功能，可最大幅度地降低讯号在大功率下的失真率。新系列产品的工作频率高达2GHz，且大幅改进了线性、稳健性和可靠性。能效更较上一代LDMOS产品提高了10-15%。

此外，新系列产品的增益也比上一代产品提高3dB，这有助于简化放大器设计，最大幅度地减少组件数量。其它进阶功能还包括崩溃电压从65V提高至80V，更佳的热性能可大幅提高系统可靠性和负载失匹功能。

意法半导体RF产品营销和应用支持经理Serge Juhel表示，LDMOS是实现高速且稳健的无线通信的关键技术，该公司的下一代产品将协助设备设计人员提高RF功率，而不会降低重要的系统性能指针，包括线性、稳健性及可靠性。我们此次推出的先进产品将为专用行动无线电系统、政府宽带通讯、航天通讯系统以及卫星上连射频等重要应用领域带来优势。