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IBM、特许、Infineon及三星发表45nm硅电路制程
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2006年09月04日 星期一

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IBM、特许半导体制造(Chartered Semiconductor Manufacturing)、英飞凌科技(Infineon Technologies)以及三星电子(Samsung Electronics)公司,联合发表第一个硅功能电路,和以联盟所开发45奈米(nm)低耗电(low-power)制程技术为基础的设计工具组。藉由初期硅晶关键设计组件的特性分析,以及早期设计(early design)工具组,设计业者可大幅领先,快速转换到最新的45奈米制程。最新制程由此一领导业界的CMOS(互补金属氧化物半导体)技术研发联盟所推出,其中早期设计工具组是由四家公司共同开发,并已立即供应部份精选客户使用。

这是第一个45奈米技术的工作电路,以下一个世代通讯系统为目标,已使用四家联盟伙伴共同开发的制程技术,通过硅晶上的验证,并在开发联盟的基地—美国纽约州East Fishkill市IBM 12吋(300毫米)晶圆厂生产。成功通过验证的组件包括由英飞凌提供的标准库组件(standard library cell)和 I/O组件,以及联盟所开发的嵌入式内存。Infineon已将特殊电路放入第一批12吋晶圆中,以改善复杂的制程,并获取产品架构交互作用方面的经验。

这套设计工具组融合了所有四家公司的专业设计经验,除了能协助设计业者加速转换到新制程,更能持续提升「单次设计、多家晶圆厂」制造能力的最大设计效益。此一45奈米低耗电制程预计在2007年底,在特许、IBM及三星的12吋晶圆厂安装并完成合格验证。

關鍵字: 特许  英飛凌  三星 
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